這款 N 通道 MV MOSFET 采用 Fairchild Semiconductor 的先進 PowerTrench? 工藝生產，該工藝內置了屏蔽柵極技術。該工藝已經過優化，可最大限度地降低通態電阻，同時保持同類最佳的柔軟主體二極管
屏蔽柵極 MOSFET 技術
VGS = 10 V、ID = 21 A 時，最大 RDS（接通）= 6.8 mΩ
VGS = 4.5 V、ID = 17 A 時，最大 RDS（接通）= 11.1 mΩ
具有 5 V 驅動能力
比其他 MOSFET 供應商的 Qrr 低 50%
降低切換噪聲/EMI
MSL1 堅固封裝設計
雙冷卻封裝
應用
初級直流-直流 MOSFET
直流-直流和交流-直流同步整流器
電動機驅動器
太陽能
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 22 A |
| 最大漏源電壓 | 80 V |
| 封裝類型 | PQFN |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 6.8 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.5V |
| 最小柵閾值電壓 | 1V |
| 最大功率耗散 | 57 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 31 nC @ 10 V |
| 長度 | 3.4mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 3.4mm |
