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此設(shè)備專門設(shè)計(jì)為單個封裝解決方案，可滿足手機(jī)和其它超便攜應(yīng)用中的雙重交換要求。它具有兩個獨(dú)立的 N 通道 MOSFET ，具有低導(dǎo)通電阻，可實(shí)現(xiàn)最小傳導(dǎo)損耗。MicroFET 2x2 為其物理尺寸提供卓越的熱性能，非常適合線性模式應(yīng)用。

2.9 A ， 30 V
RDS (on) =123 m Ω @VGS =4.5 V
RDS (on) =140 M Ω @VGS =3.0 V
RDS (on) =163 m Ω @VGS =2.5 V
薄型 - 最大 0.8 mm - 新封裝 MicroFET 2x2mm
HBM ESD Protection Level =1.8kV （注釋 3 ）
無鹵化合物和銻氧化物
應(yīng)用
本產(chǎn)品是一般用途，適用于多種不同的應(yīng)用場合