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Infineon IRFB3306GPBF MOSFET

訂 貨 號:IRFB3306GPBF      品牌:國際整流器_IR

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Infineon IRFB3306GPBF MOSFET
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N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,Infineon

Infineon 系列分離式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設備,采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數可解決大多數板布局和熱設計挑戰(zhàn)問題。 在整個范圍內,基準導通電阻減少了傳導損耗,讓設計人員可以提供最佳系統效率。

MOSFET 晶體管,Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。


屬性 數值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 160 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 TO-220AB
安裝類型 通孔
引腳數目 3
最大漏源電阻值 4.2 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 230 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
晶體管材料 Si
每片芯片元件數目 1
典型柵極電荷@Vgs 85 nC @ 10 V
最高工作溫度 +175 °C
長度 10.67mm
寬度 4.83mm
暫無

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