Infineon 設(shè)計是一項革命性的高電壓功率功率功率功率半導體技術(shù)、符合超級連接( sj )原理、由 Infineon 技術(shù)開創(chuàng)。600V cool mos ? C7 系列結(jié)合了領(lǐng)先的 sj mosfet 供應(yīng)商的經(jīng)驗和高級創(chuàng)新。600V C7 是使用 rds (接通) * a 低于 1Ohm * mm2 的第一項技術(shù)。
符合 aec Q101 標準
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 31.2 A |
最大漏源電壓 | 650 V |
封裝類型 | Pg 至 263 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.11. Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 4.5V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | 硅 |