Vishay n 溝道 60 v ( d-s ) mosfet 具有超低 qg 和 qoss 電流、可減少功率損耗并提高效率。它的柔性引線可提供抗機械應(yīng)力的能力。
trench場 效應(yīng)第四代功率 mosfet
經(jīng)過 100% rg 和 uis 測試
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 39.3 a |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | PowerPAK SO-8L |
| 引腳數(shù)目 | 4 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0072 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.5V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |