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ON Semiconductor N 通道 MOSFET 采用 Advanced 電源溝道工藝生產(chǎn)，該工藝包含屏蔽柵極技術(shù)。此過程經(jīng)優(yōu)化可耐受有效減少通態(tài)電阻，但仍保持卓越的切換性能。

有效減少傳導(dǎo)損耗
高 Peak 電流和低寄生電感
為具有熱挑戰(zhàn)的應(yīng)用提供更寬的設(shè)計余量
減少切換峰值