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Fairchild Semiconductor HUF76639S3ST_F085 MOSFET

訂 貨 號:HUF76639S3ST_F085      品牌:意法半導體_ST

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Fairchild Semiconductor HUF76639S3ST_F085 MOSFET
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UltraFET? MOSFET,F(xiàn)airchild Semiconductor

UItraFET? Trench MOSFET 組合了在功率轉換應用中實現(xiàn)基準效率的特性。 該設備可耐受雪崩模式中的高能量,且二極管展現(xiàn)出非常短的反向恢復時間和積累電荷。 為高頻率時的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低總柵極電荷和 Miller 柵極電荷進行了優(yōu)化。
應用:高頻直流-直流轉換器、開關調(diào)節(jié)器、電動機驅動器、低電壓總線開關和電源管理。

半導體 MOSFET 晶體管,半

在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 51 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類型 D2PAK (TO-263)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 26 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 180 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -16 V、+16 V
每片芯片元件數(shù)目 1
最高工作溫度 +175 °C
長度 10.67mm
典型柵極電荷@Vgs 71 nC @ 10 V
寬度 9.65mm
晶體管材料 Si
暫無

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