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意法半導體 PD57006-E MOSFET

訂 貨 號：PD57006-E      品牌：意法半導體_ST

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進口

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意法半導體 PD57006-E MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

射頻 MOSFET 晶體管，STMicroelectronics

射頻晶體管為 LDMOS，適用于范圍為 1 MHz 至 2 GHz 應用中的 L 頻段衛(wèi)星上行鏈路和 DMOS 功率晶體管。

MOSFET 晶體管，STMicroelectronics


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 1 A
最大漏源電壓 65 V
封裝類型 PowerSO
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 4
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 5V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 20 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
長度 7.5mm
最高工作溫度 +165 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 9.4mm
晶體管材料 Si
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