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Vishay SiHG70N60EF-GE3 MOSFET

訂 貨 號:SiHG70N60EF-GE3      品牌:威世_Vishay

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Vishay SIHG70N60EF-GE3 MOSFET
產品詳細信息

N 通道 MOSFET,帶快速二極管,EF 系列,Vishay Semiconductor

減少反向恢復時間、反向恢復電荷和反向恢復電流
低品質因數 (FOM)
低輸入電容 (Ciss)
由于低反向恢復電荷,提高了堅固性
超低柵極電荷 (Qg)

MOSFET 晶體管,Vishay Semiconductor


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 70 A
最大漏源電壓 600 V
封裝類型 TO-247AC
安裝類型 通孔
引腳數目 3
最大漏源電阻值 38 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 520 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -30 V、+30 V
寬度 5.31mm
最高工作溫度 +150 °C
晶體管材料 Si
長度 15.87mm
典型柵極電荷@Vgs 253 nC @ 10 V
每片芯片元件數目 1
暫無

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