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產(chǎn)品分類

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德州儀器 CSD18509Q5BT MOSFET

訂 貨 號(hào):CSD18509Q5BT      品牌:

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

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德州儀器 CSD18509Q5BT MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

N 通道 NexFET? 功率 MOSFET,Texas Instruments

MOSFET 晶體管,Texas Instruments


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 299 A
最大漏源電壓 40 V
封裝類型 VSON-CLIP
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 1.7 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2.2V
最小柵閾值電壓 1.4V
最大功率耗散 195 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
長(zhǎng)度 5mm
典型柵極電荷@Vgs 150 nC @ 10 V,70 nC @ 4.5 V
寬度 6mm
每片芯片元件數(shù)目 1
最高工作溫度 +150 °C
晶體管材料 Si
暫無

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