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德州儀器 CSD85301Q2T MOSFET

訂 貨 號(hào):CSD85301Q2T      品牌:

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

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公司基本資料信息







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德州儀器 CSD85301Q2T MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

N 通道 NexFET? 雙 MOSFET,Texas Instruments

MOSFET 晶體管,Texas Instruments


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 5 A
最大漏源電壓 20 V
封裝類型 WSON
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 6
最大漏源電阻值 99 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大功率耗散 2.3 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -10 V、+10 V
長(zhǎng)度 2.1mm
最高工作溫度 +150 °C
寬度 2.1mm
每片芯片元件數(shù)目 1
晶體管材料 Si
典型柵極電荷@Vgs 4.2 nC @ 10 V
暫無

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