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Infineon IRLML6402GTRPBF MOSFET

訂 貨 號:IRLML6402GTRPBF      品牌:國際整流器_IR

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Infineon IRLML6402GTRPBF MOSFET
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P 通道功率 MOSFET 12V 到 20V,Infineon

Infineon 分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安裝和引線封裝的 P 通道設備,外形可應對幾乎任何板布局和熱設計挑戰。 在整個范圍內,基準導通電阻減少了傳導損耗,讓設計人員可以提供最佳系統效率。

MOSFET 晶體管,Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。


屬性 數值
通道類型 P
最大連續漏極電流 3.7 A
最大漏源電壓 20 V
封裝類型 Micro6
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
最大漏源電阻值 135 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 1.2V
最小柵閾值電壓 0.4V
最大功率耗散 1.3 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -12 V、+12 V
寬度 1.4mm
典型柵極電荷@Vgs 8 nC @ 5 V
每片芯片元件數目 1
長度 3.04mm
晶體管材料 Si
最高工作溫度 +150 °C
暫無

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