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德州儀器 CSD18563Q5AT MOSFET

訂 貨 號：CSD18563Q5AT      品牌：

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德州儀器 CSD18563Q5AT MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

N 通道 NexFET? 功率 MOSFET，Texas Instruments

MOSFET 晶體管，Texas Instruments


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 100 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 VSON
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 10.8 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2.4V
最小柵閾值電壓 1.7V
最大功率耗散 3.2 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
典型柵極電荷@Vgs 15 nC @ 10 V
長度 6.1mm
寬度 5mm
最高工作溫度 +150 °C
晶體管材料 Si
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無

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