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Vishay SI3410DV-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號：SI3410DV-T1-GE3      品牌：威世_Vishay

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進口

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Vishay SI3410DV-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

N 通道 MOSFET，30V 至 50V，Vishay Semiconductor

MOSFET 晶體管，Vishay Semiconductor


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 8 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 TSOP
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 6
最大漏源電阻值 23 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 4.1 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
長度 3.1mm
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 21.8 nC @ 10 V
晶體管材料 Si
寬度 1.7mm
最高工作溫度 +150 °C
暫無

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