Vishay 第三代功率 MOSFET 利用 Advanced 處理技術實現(xiàn)每個硅區(qū)域的低接通電阻。此優(yōu)勢結合 MOSFET 電源聞名適用的快速切換速度和耐震設備設計,為設計人員提供極其高效和可靠的設備,適用于各種應用。
Advanced 工藝技術
快速切換
完全耐雪崩等級
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 3.6 A |
最大漏源電壓 | 200 V |
封裝類型 | DPAK (TO-252) |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 1.5 Ω |
通道模式 | 增強 |
最小柵閾值電壓 | 2V |
最大功率耗散 | 2.5 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
寬度 | 6.22mm |
典型柵極電荷@Vgs | 20 nC @ 10 V |
長度 | 6.73mm |
最高工作溫度 | +150 °C |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | Si |