來自 Vishay Semiconductor 的SQ 系列 MOSFET 適用于要求堅固性和高可靠性的汽車應(yīng)用。
? 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)
? 接點溫度高達(dá) +175°C
? 低導(dǎo)通電阻 n - 和 p - 通道 TrenchFET? 技術(shù)
? 創(chuàng)新型節(jié)省空間封裝選項
AEC-Q101
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 120 A |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 8 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最小柵閾值電壓 | 1.5V |
最大功率耗散 | 375 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
典型柵極電荷@Vgs | 220 nC @ 10 V |
最高工作溫度 | +175 °C |
晶體管材料 | Si |
長度 | 10.41mm |
寬度 | 9.652mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |