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德州儀器 CSD25404Q3T MOSFET

訂 貨 號:CSD25404Q3T      品牌:

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德州儀器 CSD25404Q3T MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

P 通道 NexFET? 功率 MOSFET,Texas Instruments

MOSFET 晶體管,Texas Instruments


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 104 A
最大漏源電壓 20 V
封裝類型 VSON-CLIP
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 150 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 1.15V
最小柵閾值電壓 0.65V
最大功率耗散 96 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -12 V、+12 V
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 3.4mm
長度 3.4mm
最高工作溫度 +150 °C
典型柵極電荷@Vgs 10.8 nc @ 4.5 v
暫無

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