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產(chǎn)品分類

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Vishay SI3477DV-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號:SI3477DV-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

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公司基本資料信息







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Vishay SI3477DV-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

P 通道 MOSFET,TrenchFET Gen III,Vishay Semiconductor

MOSFET 晶體管,Vishay Semiconductor


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 8 A
最大漏源電壓 12 V
封裝類型 TSOP
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 6
最大漏源電阻值 33 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 0.4V
最大功率耗散 4.2 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -10 V、+10 V
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 1.7mm
長度 3.1mm
晶體管材料 Si
最高工作溫度 +150 °C
典型柵極電荷@Vgs 58 nC @ 10 V
暫無

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