射頻晶體管為 LDMOS,適用于范圍為 1 MHz 至 2 GHz 應(yīng)用中的 L 頻段衛(wèi)星上行鏈路和 DMOS 功率晶體管。
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 5 A |
最大漏源電壓 | 65 V |
封裝類型 | M243 |
安裝類型 | 面板安裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 5V |
最小柵閾值電壓 | 2.5V |
最大功率耗散 | 93 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
寬度 | 6.1mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
長度 | 20.57mm |
晶體管材料 | Si |
最高工作溫度 | +200 °C |