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產(chǎn)品分類

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Vishay SI5935CDC-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號(hào):SI5935CDC-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Vishay SI5935CDC-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

雙 P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor

MOSFET 晶體管,Vishay Semiconductor


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 3.8 A
最大漏源電壓 20 V
封裝類型 1206 ChipFET
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 156 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最小柵閾值電壓 0.4V
最大功率耗散 3.1 W
晶體管配置 隔離式
最大柵源電壓 -8 V、+8 V
寬度 1.7mm
典型柵極電荷@Vgs 7 nC @ 5 V
長(zhǎng)度 3.1mm
最高工作溫度 +150 °C
晶體管材料 Si
每片芯片元件數(shù)目 2
暫無(wú)

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