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Infineon IPD80R1K4P7ATMA1 MOSFET

訂 貨 號:IPD80R1K4P7ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

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Infineon IPD80R1K4P7ATMA1 MOSFET
產品詳細信息

Infineon CoolMOS?P7 功率 MOSFET

800V CoolMOS P7 功率 MOSFET 系列可實現更高效率和熱性能。合適的應用為電源適配器、LED 照明、音頻、工業和輔助電源。

MOSFET 晶體管,Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 4 A
最大漏源電壓 800 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
最大漏源電阻值 1.4 Ω
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 3.5V
最小柵閾值電壓 2.5V
最大功率耗散 32 W
最大柵源電壓 -30 V、+30 V
長度 6.73mm
典型柵極電荷@Vgs 10 nC @ 10 V
寬度 6.22mm
每片芯片元件數目 1
最高工作溫度 +150 °C
暫無

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