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Vishay SISS27DN-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號：SISS27DN-T1-GE3      品牌：威世_Vishay

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進口

品牌商價：￥0.00

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Vishay SISS27DN-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

P 通道 MOSFET，TrenchFET Gen III，Vishay Semiconductor

MOSFET 晶體管，Vishay Semiconductor


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 23 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 PowerPAK 1212
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 9 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 57 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
每片芯片元件數(shù)目 1
晶體管材料 Si
寬度 3.3mm
長度 3.3mm
典型柵極電荷@Vgs 92 nC @ 10 V
最高工作溫度 +150 °C
暫無

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