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onsemi FDD8878 MOSFET

訂 貨 號：FDD8878      品牌：安森美_Onsemi

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onsemi FDD8878 MOSFET
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PowerTrench? N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，F(xiàn)airchild Semiconductor

半導體 MOSFET 晶體管，半

在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 40 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 24 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 1.2V
最大功率耗散 40 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
最高工作溫度 +175 °C
長度 6.73mm
典型柵極電荷@Vgs 19 nC @ 10 V
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 6.22mm
晶體管材料 Si
暫無

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