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onsemi FDS6375 MOSFET

訂 貨 號:FDS6375      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi FDS6375 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

PowerTrench? P 通道 MOSFET,F(xiàn)airchild Semiconductor

PowerTrench? MOSFET 是優(yōu)化的電源開關(guān),可提高系統(tǒng)效率和功率密度。 它們組合了小柵極電荷 (Qg)、小反向恢復(fù)電荷 (Qrr) 和軟性反向恢復(fù)主體二極管,有助于快速切換交流/直流電源中的同步整流。
最新的 PowerTrench? MOSFET 采用屏蔽柵極結(jié)構(gòu),可提供電荷平衡。 利用這一先進技術(shù),這些設(shè)備的 FOM(品質(zhì)因素)顯著低于之前的 FOM。
PowerTrench? MOSFET 的軟性主體二極管性能可無需緩沖電路或替換更高額定電壓的 MOSFET。

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管,半

在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 8 A
最大漏源電壓 20 V
封裝類型 SOIC
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 24 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 0.4V
最大功率耗散 2.5 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -8 V、+8 V
典型柵極電荷@Vgs 26 nC @ 4.5 V
寬度 4mm
每片芯片元件數(shù)目 1
長度 5mm
晶體管材料 Si
最高工作溫度 +175 °C
暫無

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