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onsemi NDS352AP MOSFET

訂 貨 號:NDS352AP      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi NDS352AP MOSFET
產品詳細信息

增強模式 P 通道 MOSFET , ON Semiconductor

在半導體方面, P 通道 MOSFET 采用半導體專有的高細胞密度 DMOS 技術制造。這種非常高密度的過程旨在最大限度地減少狀態電阻,從而為快速交換提供堅固可靠的性能。

特點和優勢:

?電壓控制的 P 通道小信號開關
?高密度單元設計
?高飽和度電流
?卓越的交換性能
?堅固耐用、可靠的性能
* DMOS 技術

應用:

?負載切換
? DC/DC 轉換器
?電池保護
?電源管理控制
?直流電機控制

on ON Semiconductor NDS352AP 是 p 溝道邏輯電平增強型功率場效應晶體管、采用高細胞密度、側流晶體管技術制造而成。此高密度過程專門定制、有效減少單態電阻。

卓越的接通電阻和最大直流電流容量
工業標準外形、采用了 surface-23 表面安裝封裝

半導體 MOSFET 晶體管,半

在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統保持較長的運行時間。


屬性 數值
通道類型 P
最大連續漏極電流 900 mA
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 SOT-23
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
最大漏源電阻值 300 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 0.8V
最大功率耗散 500 mW
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
每片芯片元件數目 1
晶體管材料 Si
長度 2.92mm
最高工作溫度 +150 °C
寬度 1.4mm
典型柵極電荷@Vgs 2 nC @ 4.5 V
暫無

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