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Vishay SI4501BDY-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號:SI4501BDY-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

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Vishay SI4501BDY-T1-GE3 MOSFET
產品詳細信息

雙 N/P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor

MOSFET 晶體管,Vishay Semiconductor


屬性 數值
通道類型 N,P
最大連續漏極電流 6.4 A,12 A
最大漏源電壓 8 V,30 V
封裝類型 SOIC
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 8
最大漏源電阻值 20 mΩ, 37 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 0.45V
最大功率耗散 3.1 W, 4.5 W
晶體管配置 共漏極
最大柵源電壓 -20 V、-8 V、+20 V、+8 V
長度 5mm
每片芯片元件數目 2
寬度 4mm
晶體管材料 Si
典型柵極電荷@Vgs 16.5 nC @ 10 V,27.5 nC @ 8 V
最高工作溫度 +150 °C
暫無

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