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Infineon IPD122N10N3G MOSFET

訂 貨 號:IPD122N10N3G      品牌:英飛凌_Infineon

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Infineon IPD122N10N3G MOSFET
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Infineon OptiMOS?3 功率 MOSFET,100V 及以上

MOSFET 晶體管,Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 59 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類型 TO-252
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
最大漏源電阻值 23.1 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 3.5V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 94 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
寬度 6.22mm
典型柵極電荷@Vgs 26 nC @ 10 V
長度 6.73mm
最高工作溫度 +175 °C
每片芯片元件數目 1
暫無

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