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產(chǎn)品分類

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Infineon BSZ110N06NS3GATMA1 MOSFET

訂 貨 號:BSZ110N06NS3GATMA1      品牌:GAT

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

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Infineon BSZ110N06NS3GATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

Infineon OptiMOS?3 功率 MOSFET,60 至 80V

OptiMOS? 產(chǎn)品提供高性能封裝,可處理最具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用,在有限空間提供全部靈活性。 這些 Infineon 產(chǎn)品經(jīng)的設(shè)計符合并超過計算機應(yīng)用中更嚴格的下一代電壓調(diào)節(jié)標準的能效和功率密度要求。

快速切換 MOSFET,用于 SMPS
優(yōu)化技術(shù),用于直流/直流轉(zhuǎn)換器
符合目標應(yīng)用的 JEDEC1 規(guī)格
N 通道,邏輯電平
極佳的柵極電荷 x R DS(on) 產(chǎn)品 (FOM)
極低導(dǎo)通電阻 R DS(on)
無鉛電鍍

MOSFET 晶體管,Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 20 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 TSDSON
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 11 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 50 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
最高工作溫度 +150 °C
寬度 3.4mm
每片芯片元件數(shù)目 1
長度 3.4mm
晶體管材料 Si
典型柵極電荷@Vgs 25 nC @ 10 V
暫無

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