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onsemi FDC653N MOSFET

訂 貨 號:FDC653N      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi FDC653N MOSFET
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增強模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor

增強模式場效應晶體管 (FET) 使用了 Fairchild 的專利高單元密度的 DMOS 技術進行生產。 這種高密度工藝設計用于盡量減小通態電阻,提供耐用可靠的性能和快速切換。

半導體 MOSFET 晶體管,半

在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統保持較長的運行時間。


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 5 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 SOT-23
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 6
最大漏源電阻值 56 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 1.6 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
晶體管材料 Si
寬度 1.7mm
長度 3mm
典型柵極電荷@Vgs 12 nC @ 10 V
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數目 1
暫無

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