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英飛凌 IRF5210STRLPBF MOSFET

訂 貨 號:IRF5210STRLPBF      品牌:意法半導體_ST

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英飛凌 IRF5210STRLPBF MOSFET
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P 通道功率 MOSFET 100V 至 150V,Infineon

Infineon 分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安裝和引線封裝的 P 通道設備,外形可應對幾乎任何板布局和熱設計挑戰。在整個范圍內,基準導通電阻減少了傳導損耗,讓設計人員可以提供最佳系統效率。

MOSFET 晶體管,Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。


屬性 數值
通道類型 P
最大連續漏極電流 38 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類型 D2PAK (TO-263)
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
最大漏源電阻值 60 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 170 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
典型柵極電荷@Vgs 150 nC @ 10 V
每片芯片元件數目 1
最高工作溫度 +150 °C
長度 10.67mm
寬度 9.65mm
晶體管材料 Si
暫無

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