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產(chǎn)品分類

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Infineon BSZ086P03NS3EGATMA1 MOSFET

訂 貨 號(hào):BSZ086P03NS3EGATMA1      品牌:GAT

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Infineon BSZ086P03NS3EGATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon OptiMOS?P P通道功率MOSFET

Infineon OptiMOS? P通道功率MOSFET設(shè)計(jì)用于提供增強(qiáng)功能,以滿足高質(zhì)量性能要求。功能包括超低開關(guān)損耗,通態(tài)電阻,雪崩額定值以及通過(guò)AEC認(rèn)證的汽車解決方案。應(yīng)用包括DC-DC,電機(jī)控制,汽車和eMobility。

增強(qiáng)模式
耐雪崩等級(jí)
低切換和傳導(dǎo)功率損耗
無(wú)鉛引線電鍍;符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)封裝
OptiMOS?P通道系列:溫度范圍為-55°C至+175°C

MOSFET 晶體管,Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 40 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 TSDSON
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 13.4 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 1.9V
最小柵閾值電壓 3.1V
最大功率耗散 69 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -25 V、+25 V
寬度 3.4mm
長(zhǎng)度 3.4mm
典型柵極電荷@Vgs 43.2 nC @ 10 V
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
晶體管材料 Si
暫無(wú)

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