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Infineon BSZ086P03NS3EGATMA1 MOSFET

訂 貨 號:BSZ086P03NS3EGATMA1      品牌:GAT

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Infineon BSZ086P03NS3EGATMA1 MOSFET
產品詳細信息

Infineon OptiMOS?P P通道功率MOSFET

Infineon OptiMOS? P通道功率MOSFET設計用于提供增強功能,以滿足高質量性能要求。功能包括超低開關損耗,通態電阻,雪崩額定值以及通過AEC認證的汽車解決方案。應用包括DC-DC,電機控制,汽車和eMobility。

增強模式
耐雪崩等級
低切換和傳導功率損耗
無鉛引線電鍍;符合RoHS標準
標準封裝
OptiMOS?P通道系列:溫度范圍為-55°C至+175°C

MOSFET 晶體管,Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。


屬性 數值
通道類型 P
最大連續漏極電流 40 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 TSDSON
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 8
最大漏源電阻值 13.4 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 1.9V
最小柵閾值電壓 3.1V
最大功率耗散 69 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -25 V、+25 V
寬度 3.4mm
長度 3.4mm
典型柵極電荷@Vgs 43.2 nC @ 10 V
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數目 1
晶體管材料 Si
暫無

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