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onsemi FDP150N10A_F102 MOSFET

訂 貨 號:FDP150N10A_F102      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi FDP150N10A_F102 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,F(xiàn)airchild Semiconductor

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管,半

在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運(yùn)行時間。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 50 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類型 TO-220
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 15 MΩ
通道模式 增強(qiáng)
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 91 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 4.672mm
最高工作溫度 +175 °C
晶體管材料 Si
典型柵極電荷@Vgs 16.2 nC @ 10 V
長度 10.36mm
暫無

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