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onsemi FQB1P50TM MOSFET

訂 貨 號(hào):FQB1P50TM      品牌:安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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onsemi FQB1P50TM MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

增強(qiáng)模式 P 通道 MOSFET , ON Semiconductor

在半導(dǎo)體方面, P 通道 MOSFET 采用半導(dǎo)體專有的高細(xì)胞密度 DMOS 技術(shù)制造。這種非常高密度的過(guò)程旨在最大限度地減少狀態(tài)電阻,從而為快速交換提供堅(jiān)固可靠的性能。

特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì):

?電壓控制的 P 通道小信號(hào)開(kāi)關(guān)
?高密度單元設(shè)計(jì)
?高飽和度電流
?卓越的交換性能
?堅(jiān)固耐用、可靠的性能
* DMOS 技術(shù)

應(yīng)用:

?負(fù)載切換
? DC/DC 轉(zhuǎn)換器
?電池保護(hù)
?電源管理控制
?直流電機(jī)控制

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管,半

在半自動(dòng)模式下, MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性,從降低的電壓峰值和過(guò)沖,到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長(zhǎng)的運(yùn)行時(shí)間。


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 1.5 A
最大漏源電壓 500 V
封裝類型 D2PAK (TO-263)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 10.5 Ω
通道模式 增強(qiáng)
最小柵閾值電壓 3V
最大功率耗散 63 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -30 V、+30 V
晶體管材料 Si
最高工作溫度 +150 °C
長(zhǎng)度 9.65mm
典型柵極電荷@Vgs 11 nC @ 10 V
寬度 10.67mm
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無(wú)

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