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onsemi FQD11P06TM MOSFET

訂 貨 號:FQD11P06TM      品牌:安森美_Onsemi

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

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onsemi FQD11P06TM MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

增強模式 P 通道 MOSFET , ON Semiconductor

在半導(dǎo)體方面, P 通道 MOSFET 采用半導(dǎo)體專有的高細(xì)胞密度 DMOS 技術(shù)制造。這種非常高密度的過程旨在最大限度地減少狀態(tài)電阻,從而為快速交換提供堅固可靠的性能。

特點和優(yōu)勢:

?電壓控制的 P 通道小信號開關(guān)
?高密度單元設(shè)計
?高飽和度電流
?卓越的交換性能
?堅固耐用、可靠的性能
* DMOS 技術(shù)

應(yīng)用:

?負(fù)載切換
? DC/DC 轉(zhuǎn)換器
?電池保護
?電源管理控制
?直流電機控制

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管,半

在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 9.4 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 185 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 2500 mW
晶體管配置
最大柵源電壓 -30 V、+30 V
長度 6.6mm
典型柵極電荷@Vgs 13 nC @ 10 V
每片芯片元件數(shù)目 1
最高工作溫度 +150 °C
寬度 6.1mm
晶體管材料 Si
暫無

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