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產(chǎn)品分類(lèi)
分類(lèi)：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測(cè)量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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Infineon BSC077N12NS3GATMA1 MOSFET

訂 貨 號(hào)：BSC077N12NS3GATMA1      品牌：GAT

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Infineon BSC077N12NS3GATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon OptiMOS?3 功率 MOSFET，100V 及以上

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類(lèi)最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車(chē)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 N
最大連續(xù)漏極電流 98 A
最大漏源電壓 120 V
封裝類(lèi)型 TDSON
安裝類(lèi)型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 7.7 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 139 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
典型柵極電荷@Vgs 66 nC @ 10 V
長(zhǎng)度 5.35mm
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
晶體管材料 Si
寬度 6.1mm
暫無(wú)

正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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