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onsemi FQB30N06LTM MOSFET

訂 貨 號:FQB30N06LTM      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi FQB30N06LTM MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

QFET? N 通道 MOSFET,超過 31A,F(xiàn)airchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor 的新型 QFET? 平面 MOSFET 使用先進的專利技術(shù)為廣泛的應(yīng)用提供最佳的工作性能,包括電源、PFC(功率因數(shù)校正)、直流-直流轉(zhuǎn)換器、等離子顯示面板 (PDP)、照明鎮(zhèn)流器和運動控制。
它們通過降低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 來減少通態(tài)損耗,并通過降低柵極電荷 (Qg) 和輸出電容 (Coss) 來減少切換損耗。 通過使用先進的 QFET? 工藝技術(shù),F(xiàn)airchild 可提供比競爭平面 MOSFET 設(shè)備更高的品質(zhì)因素 (FOM)。

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管,半

在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 32 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 D2PAK (TO-263)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 35 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 3.75 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
最高工作溫度 +175 °C
晶體管材料 Si
寬度 9.65mm
典型柵極電荷@Vgs 15 nC @ 5 V
長度 10.67mm
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無

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