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onsemi NTS2101PT1G MOSFET

訂 貨 號:NTS2101PT1G      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi NTS2101PT1G MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

P 通道功率 MOSFET,8V,ON Semiconductor

MOSFET 晶體管,ON Semiconductor


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 1.5 A
最大漏源電壓 8 V
封裝類型 SOT-323 (SC-70)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 210 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 0.45V
最大功率耗散 330 mW
晶體管配置
最大柵源電壓 -8 V、+8 V
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 6.4 nC @ 5 V
晶體管材料 Si
最高工作溫度 +150 °C
長度 2.2mm
寬度 1.35mm
暫無

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