400 W 峰值脈沖功率,帶 10/1000 μs 波形
雪崩擊穿電壓容差 ±5% VTVSxxxA... ± 2 % VTVSxxxG...
超薄封裝
屬性 | 數(shù)值 |
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方向類型 | 單向 |
二極管配置 | 單路 |
最大鉗位電壓 | 25V |
最小擊穿電壓 | 17.1V |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝類型 | DO-219AB |
最大反向待機(jī)電壓 | 15.1V |
引腳數(shù)目 | 2 |
峰值脈沖功率耗散 | 400W |
最大峰值脈沖電流 | 15.47A |
ESD保護(hù) | 是 |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
最低工作溫度 | -55 °C |
尺寸 | 2.9 x 1.9 x 0.98mm |
最高工作溫度 | +175 °C |